¡Pues, sí! A pesa de que el mercado tecnológico no para de avanzar, la memoria interna de los teléfonos móviles aún parece que nos resulta exigua, ya que para paliar esta situación por “almacenamiento”, un equipo de científicos estadounidenses ha logrado crear un tipo de memoria que es capaz de alcanzar hasta 1 Terabyte, es decir, más de 1.000 gigas.
La memoria, bautizada como RRAM o Resistive random-access memory (Ram Resistente), ha sido desarollada por un equipo de imvestigadores de la Universidad de RIce (EEUU) tras cinco años de estudio. Esta RRAM tiene una resistencia 100 veces mayor a las cotidianas y puede ser fabricada con equipos y temperaturas convencionales. La clave de este avance lo encontramos en el óxido de silicio poroso, que es el que le ha otorgado esa súper-resistencia.
Dicha memoria, fabricada con una tecnología similar a la que se emplea en los discos duros e estado sólido (SSD), tiene el tamaño de un sello de correos y será capaz de almacenar más 30.000 canciones en mp3; todo lo que podamos imaginarnos dentro 1.024 gigas.
Por otra parte, gracias al óxido de silicio, su proceso de fabricación será barato, ya que los dispositivos actuales utilizan óxido de silicio. La memoria RRAM podría llegar a los móviles en poco años, según revela el estudio publicado en la revista de la American Chemical Society, Journal Nano Letters.
“Nuestra tecnlogía es la única que satisface todas las necesidades del mercado, tanto desde el punto de vista de la producción como del rendimiento. Si algún día llega a aplicarse, lo cierto es que ya no tendríamos por qué preocuparnos de errores de memoria baja.” – James Tour, coautor del estudio.
“Más de 50 veces la densidad de datos capaz de registrar la memoria en cuestión” – Gunuk Wang.
